990 EVO
DD SSD SAMSUNG 990 EVO 1TO NVME
En stock
149€
Description
- 1 To M.2 PCI Express 4.0
- Vitesse de lecture: 5000 Mo/s
- Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Le chiffrement matériel 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T. Support TRIM
- composant pour: Universel
Caractéristiques
Caractéristiques
-
Version NVMe
2.0 -
Le chiffrement matériel
Oui -
Flux de données d'interface PCI Express
x4 -
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm) -
Révision CEM PCI Express
4.0 -
Support TRIM
Oui -
Classe TBW
600
Réseau
-
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Support de stockage
-
Facteur de forme SSD
M.2 -
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1 To
Connectivité
-
Interface
PCI Express 4.0
représentation / réalisation
-
Type de mémoire
V-NAND TLC -
Support S.M.A.R.T.
Oui -
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Lecteur à circuit intégré
-
NVMe
Oui -
Vitesse de lecture
5000 Mo/s -
Vitesse d'écriture
4200 Mo/s
Design
-
composant pour
Universel
Puissance
-
Tension de fonctionnement
3,3 V -
Consommation électrique (Lecture)
4,9 W -
Consommation électrique (Ecriture)
4,5 W -
Consommation d 'énergie (en mode veille)
0,005 W -
Consommation électrique (idle)
0,06 W
Conditions environnementales
-
Température d'opération
0 - 70 °C -
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C -
Humidité relative de fonctionnement (H-H)
5 - 95% -
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95% -
Vibrations hors fonctionnement
20 G -
Choc hors fonctionnement
1500 G
Détails techniques
-
Période de garantie
5 année(s)
Poids et dimensions
-
Largeur
80,2 mm -
Profondeur
22,1 mm -
Hauteur
2,38 mm -
Poids
9 g
Informations sur l'emballage
-
Type d'emballage
Boîte
Description complète
Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
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